2020-04-15
隨著(zhù)歐姆龍光耦繼電器G3VM-21MT的發(fā)布，我們可以了解下它的特征及應用領(lǐng)域：
特點(diǎn)
（* 1）MOS FET ＝金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（一種場(chǎng)效應晶體管）。
（* 2）根據我們自己的研究，截止到2019年4月，采用“ T型電路結構”的繼電器模塊將多個(gè)不同的MOS FET繼電器組合在一起。
（* 3）電子設備中通常使用的電路結構，例如衰減器，以更大程度地減小泄漏電流。
（* 4）電路內部發(fā)生的一種情況，電流通過(guò)絕緣層泄漏，否則會(huì )阻止電流通過(guò)。
（* 5）通過(guò)纏繞在玻璃管上的線(xiàn)圈的磁通量來(lái)切換（斷開(kāi)和閉合）位于玻璃管中的兩個(gè)帶有觸點(diǎn)的簧片。
特征
1．通過(guò)將泄漏電流減小到1pA或更低來(lái)提高設備的可靠性
泄漏電流一直是半導體繼電器的長(cháng)期缺點(diǎn)，G3VM-21MT通過(guò)將泄漏最小化到1pA或更低來(lái)解決該問(wèn)題。
G3VM-21MT成功地實(shí)現了低于或等于0.1pA的實(shí)際性能，同時(shí)將對應用測量精度的影響降至最低。
２．更長(cháng)的生命周期和顯著(zhù)降低的維護頻率
G3VM-21MT繼電器模塊的輸出電路由不使用物理觸點(diǎn)的半導體MOS FET繼電器組成，因此無(wú)需對觸點(diǎn)進(jìn)行維護以防磨損，因為不會(huì )產(chǎn)生電弧放電打開(kāi)和關(guān)閉電路。
３．縮小的安裝空間-通過(guò)節省空間和節省
布線(xiàn)的方式實(shí)現高密度安裝 G3VM-21MT通過(guò)將輸入和輸出電路的復雜接線(xiàn)圖納入內部模塊，實(shí)現了5mm×3.75mm×2.7mm的緊湊尺寸，從而簡(jiǎn)化了PCB布線(xiàn)的應用程序。
應用領(lǐng)域
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